VN2110K1-G

MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23-3
VN2110K1-G P1
VN2110K1-G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microchip Technology ~ VN2110K1-G

номер части
VN2110K1-G
производитель
Microchip Technology
Описание
MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- VN2110K1-G PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части VN2110K1-G
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 200mA (Tj)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs -
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 50pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 360mW (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 500mA, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика SOT-23-3
Упаковка / чехол TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

сопутствующие товары

Все продукты