VN2110K1-G

MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23-3
VN2110K1-G P1
VN2110K1-G P1
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Microchip Technology ~ VN2110K1-G

Artikelnummer
VN2110K1-G
Hersteller
Microchip Technology
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer VN2110K1-G
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 200mA (Tj)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 360mW (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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