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Rohm Semiconductor ~ SCT2H12NYTB

부품 번호: SCT2H12NYTB
제조사: Rohm Semiconductor
기술: 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
데이터 시트: - SCT2H12NYTB PDF online browsing
가족: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

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제품 매개 변수

부품 번호	SCT2H12NYTB
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	1700V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	18V
Vgs (th) (최대) @ Id	4V @ 410µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	14nC @ 18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	184pF @ 800V
Vgs (최대)	+22V, -6V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	44W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
작동 온도	175°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	TO-268
패키지 / 케이스	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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