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Rohm Semiconductor ~ SCT2H12NYTB

品番: SCT2H12NYTB
メーカー: Rohm Semiconductor
説明: 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシート: - SCT2H12NYTB PDF online browsing
家族: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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製品パラメータ

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品番	SCT2H12NYTB
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	1700V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	4A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	18V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 410µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	14nC @ 18V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	184pF @ 800V
Vgs（最大）	+22V, -6V
FET機能	-
消費電力（最大）	44W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
動作温度	175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	TO-268
パッケージ/ケース	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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