이미지는 참고 용입니다.
제품 세부 정보는 제품 사양을 참조하십시오.
| 부품 번호 | BAS116HMFHT116 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) | 80V |
| 전류 - 평균 정류 (Io) | 215mA (DC) |
| 전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.25V @ 150mA |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 회복 시간 (trr) | 3µs |
| 전류 - Vr의 역 누설 | 5nA @ 75V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급 업체 장치 패키지 | SSD3 |
| 작동 온도 - 정션 | 150°C (Max) |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAS116 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3 | - | 0 | 세부 |
|
BAS116 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23 | - | 1546376 | 세부 |
 |
BAS116,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23 | 9000 | 세부 | |
 |
BAS116,235 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23 | 90000 | 세부 | |
 |
BAS116-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3 | - | 0 | 세부 |
 |
BAS116E6327HTSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 | - | 42000 | 세부 |
 |
BAS116E6433HTMA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 | - | 0 | 세부 |
|
BAS116GWJ | Nexperia USA Inc. | BAS116GW/SOD123/SOD2 | - | 10000 | 세부 |
|
BAS116GWX | Nexperia USA Inc. | BAS116GW/SOD123/SOD2 | - | 3000 | 세부 |
 |
BAS116H,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123F | 33000 | 세부 | |
|
BAS116HMFHT116 | Rohm Semiconductor | HIGH RELIABILITY AUTOMOTIVE SWIT | - | 1590825 | 세부 |
|
BAS116L2-TP | Micro Commercial Co | 215MA85VSWITCHINGDFN1006-2C P | - | 1206230 | 세부 |