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| Número de pieza | BAS116HMFHT116 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 215mA (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 150mA |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 3µs |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5nA @ 75V |
| Capacitancia @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SSD3 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | 150°C (Max) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BAS116 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3 | - | 0 | Detalles |
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BAS116 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23 | - | 1546376 | Detalles |
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BAS116,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23 | 9000 | Detalles | |
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BAS116,235 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23 | 90000 | Detalles | |
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BAS116-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3 | - | 0 | Detalles |
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BAS116E6327HTSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 | - | 42000 | Detalles |
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BAS116E6433HTMA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 | - | 0 | Detalles |
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BAS116GWJ | Nexperia USA Inc. | BAS116GW/SOD123/SOD2 | - | 10000 | Detalles |
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BAS116GWX | Nexperia USA Inc. | BAS116GW/SOD123/SOD2 | - | 3000 | Detalles |
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BAS116H,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123F | 33000 | Detalles | |
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BAS116HMFHT116 | Rohm Semiconductor | HIGH RELIABILITY AUTOMOTIVE SWIT | - | 1590825 | Detalles |
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BAS116L2-TP | Micro Commercial Co | 215MA85VSWITCHINGDFN1006-2C P | - | 1206230 | Detalles |