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부품 번호 | BSC0902NSIATMA1 |
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부품 상태 | Active |
FET 유형 | N-Channel |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 30V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 23A (Ta), 100A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 10mA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (최대) | ±20V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1500pF @ 15V |
FET 기능 | - |
전력 발산 (최대) | 2.5W (Ta), 48W (Tc) |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
공급 업체 장치 패키지 | PG-TDSON-8 |
패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |