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品番 | BSC0902NSIATMA1 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 23A (Ta), 100A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 2.8 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2V @ 10mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1500pF @ 15V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 2.5W (Ta), 48W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8 |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |