이미지는 참고 용입니다.
제품 세부 정보는 제품 사양을 참조하십시오.
| 부품 번호 | DMT6004SCT |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 95.4nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4556pF @ 30V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 2.3W (Ta), 113W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3.65 mOhm @ 100A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-220-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT6002LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506 | - | 2500 | 세부 |
 |
DMT6004LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 22A | - | 0 | 세부 |
 |
DMT6004SCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 | - | 50 | 세부 |
|
DMT6004SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506 | - | 0 | 세부 |
 |
DMT6005LCT | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 100A TO220AB | - | 7250 | 세부 |
|
DMT6005LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333 | - | 148551 | 세부 |
|
DMT6005LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333 | - | 148551 | 세부 |
 |
DMT6005LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI | - | 5000 | 세부 |
 |
DMT6005LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8 | - | 0 | 세부 |
 |
DMT6007LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333 | - | 0 | 세부 |
 |
DMT6007LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333 | - | 2000 | 세부 |
|
DMT6007LFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333 | - | 129051 | 세부 |