DMT6004SCT

MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
DMT6004SCT P1
DMT6004SCT P1
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Diodes Incorporated ~ DMT6004SCT

Numero di parte
DMT6004SCT
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte DMT6004SCT
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4556pF @ 30V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta), 113W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.65 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3
Pacchetto / caso TO-220-3

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