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| 品番 | SQ3989EV-T1_GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 155 mOhm @ 400mA, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 11.1nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| 電力 - 最大 | 1.67W |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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SQ3985EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP | - | 242847 | 詳細 |
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SQ3987EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 3A 6TSOP | - | 242847 | 詳細 |
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SQ3989EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2P-CH 30V 6TSOP | - | 0 | 詳細 |