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| Numero di parte | SQ3989EV-T1_GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 400mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.1nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 1.67W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SQ3985EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP | - | 242847 | Dettagli |
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SQ3987EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 3A 6TSOP | - | 242847 | Dettagli |
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SQ3989EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2P-CH 30V 6TSOP | - | 0 | Dettagli |