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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | SIZF920DT-T1-GE3 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
FET機能 | Standard |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 3.07 mOhm @ 10A, 10V, 1.05 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 29nC @ 10V, 125nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V |
電力 - 最大 | 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-PowerPair® (6x5) |