SIZF920DT-T1-GE3

MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
SIZF920DT-T1-GE3 P1
SIZF920DT-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SIZF920DT-T1-GE3

Numero di parte
SIZF920DT-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- SIZF920DT-T1-GE3 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte SIZF920DT-T1-GE3
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual), Schottky
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.07 mOhm @ 10A, 10V, 1.05 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V, 125nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
Potenza - Max 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore 8-PowerPair® (6x5)

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