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Numero di parte | SIZF920DT-T1-GE3 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.07 mOhm @ 10A, 10V, 1.05 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V, 125nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V |
Potenza - Max | 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PowerPair® (6x5) |