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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | SI2301BDS-T1-E3 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.2A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 2.5V, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 950mV @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 10nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 375pF @ 6V |
Vgs(最大) | ±8V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 700mW (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 100 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |