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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | SI2300-TP |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.5A |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 25 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 900mV @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 4.2nC @ 4.5V |
Vgs(最大) | ±10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 482pF @ 10V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 1W |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23 |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |