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| 品番 | MBR2535CT-1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode |
| ダイオードタイプ | Schottky |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 35V |
| 電流 - 平均整流（Io）（ダイオードあたり） | 15A |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 820mV @ 30A |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | - |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 200µA @ 35V |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 150°C |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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MBR200100CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER | 0 | 詳細 | |
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MBR200100CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER | 0 | 詳細 | |
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MBR200100CTS | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 200A SOT227 | 6 | 詳細 | |
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MBR200150CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER | 0 | 詳細 | |
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MBR200200CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER | 0 | 詳細 | |
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MBR200200CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER | 0 | 詳細 | |
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MBR20020CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER | 0 | 詳細 | |
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MBR20020CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER | 0 | 詳細 | |
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MBR20030CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER | 0 | 詳細 | |
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MBR20030CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER | 0 | 詳細 | |
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