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| Numero di parte | MBR2535CT-1 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo diodo | Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 15A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 820mV @ 30A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 35V |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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MBR200100CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER | 0 | Dettagli | |
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MBR200100CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER | 0 | Dettagli | |
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MBR200100CTS | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 200A SOT227 | 6 | Dettagli | |
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MBR200150CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER | 0 | Dettagli | |
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MBR200150CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER | 0 | Dettagli | |
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MBR200200CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER | 0 | Dettagli | |
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MBR200200CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER | 0 | Dettagli | |
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MBR20020CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER | 0 | Dettagli | |
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MBR20020CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER | 0 | Dettagli | |
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MBR20030CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER | 0 | Dettagli | |
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MBR20030CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER | 0 | Dettagli | |
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MBR20035CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER | 0 | Dettagli |