画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | TPD3215M |
---|---|
部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET機能 | GaNFET (Gallium Nitride) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 600V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 70A (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 34 mOhm @ 30A, 8V |
Vgs(th)(Max)@ Id | - |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 28nC @ 8V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2260pF @ 100V |
電力 - 最大 | 470W |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
パッケージ/ケース | Module |
サプライヤデバイスパッケージ | Module |