TPD3215M

CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
TPD3215M P1
TPD3215M P1
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Transphorm ~ TPD3215M

品番
TPD3215M
メーカー
Transphorm
説明
CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- TPD3215M PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 TPD3215M
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 70A (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 34 mOhm @ 30A, 8V
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 28nC @ 8V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2260pF @ 100V
電力 - 最大 470W
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module

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