TPD3215M

CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
TPD3215M P1
TPD3215M P1
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Transphorm ~ TPD3215M

Artikelnummer
TPD3215M
Hersteller
Transphorm
Beschreibung
CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer TPD3215M
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Eigenschaft GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 100V
Leistung max 470W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module

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