TK12V60W,LVQ

MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
TK12V60W,LVQ P1
TK12V60W,LVQ P2
TK12V60W,LVQ P1
TK12V60W,LVQ P2
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK12V60W,LVQ

品番
TK12V60W,LVQ
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- TK12V60W,LVQ PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 TK12V60W,LVQ
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 11.5A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.7V @ 600µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 25nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 890pF @ 300V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 Super Junction
消費電力(最大) 104W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 300 mOhm @ 5.8A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 5-DFN (8x8)
パッケージ/ケース 4-VSFN Exposed Pad

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