TK12V60W,LVQ

MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
TK12V60W,LVQ P1
TK12V60W,LVQ P2
TK12V60W,LVQ P1
TK12V60W,LVQ P2
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK12V60W,LVQ

Artikelnummer
TK12V60W,LVQ
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer TK12V60W,LVQ
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 11.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 600µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 890pF @ 300V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft Super Junction
Verlustleistung (Max) 104W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 5.8A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 5-DFN (8x8)
Paket / Fall 4-VSFN Exposed Pad

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