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BOM

STI100N10F7

MOSFET
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › STI100N10F7
STI100N10F7 P1
STI100N10F7 P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

STMicroelectronics ~ STI100N10F7

品番
STI100N10F7
メーカー
STMicroelectronics
説明
MOSFET
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- STI100N10F7 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 STI100N10F7
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 80A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On（Max）@ Id、Vgs -
Vgs（th）（Max）@ Id -
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 60nC @ 25V
Vgs（最大） -
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds -
FET機能 -
消費電力（最大） -
動作温度 -
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ I2PAK (TO-262)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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