STI100N10F7

MOSFET
STI100N10F7 P1
STI100N10F7 P1
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STMicroelectronics ~ STI100N10F7

Numero di parte
STI100N10F7
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- STI100N10F7 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte STI100N10F7
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 25V
Vgs (massimo) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK (TO-262)
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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