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品番 | RYC002N05T316 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 50V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 200mA (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 800mV @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | - |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 26pF @ 10V |
Vgs(最大) | ±8V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 350mW (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | SST3 |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |