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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | RYC002N05T316 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 50V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 26pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±8V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 350mW (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SST3 |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |