RQ3P300BETB1

RQ3P300BE IS A POWER MOSFET WITH
RQ3P300BETB1 P1
RQ3P300BETB1 P1
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Rohm Semiconductor ~ RQ3P300BETB1

品番
RQ3P300BETB1
メーカー
Rohm Semiconductor
説明
RQ3P300BE IS A POWER MOSFET WITH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- RQ3P300BETB1 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 RQ3P300BETB1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 10A (Ta), 36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 21 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 200µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 19.1nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1250pF @ 50V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 32W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-HSMT (3.2x3)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN

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