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Numero di parte | RQ3P300BETB1 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 36A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.1nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1250pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 32W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HSMT (3.2x3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |