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| 品番 | RQ1A070ZPTR |
|---|---|
| 部品ステータス | Not For New Designs |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 12V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 1.5V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 58nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7400pF @ 6V |
| Vgs（最大） | ±10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 700mW (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 12 mOhm @ 7A, 4.5V |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSMT8 |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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RQ1A060ZPTR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8 | 72000 | 詳細 | |
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RQ1A070APTR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 | 0 | 詳細 | |
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RQ1A070ZPTR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 | 0 | 詳細 |