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| Número de pieza | RQ1A070ZPTR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7400pF @ 6V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TSMT8 |
| Paquete / caja | 8-SMD, Flat Lead |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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RQ1A060ZPTR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8 | 72000 | Detalles | |
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RQ1A070APTR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 | 0 | Detalles | |
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RQ1A070ZPTR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 | 0 | Detalles |