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品番 | NVMD6P02R2G |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 P-Channel (Dual) |
FET機能 | Logic Level Gate |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.8A |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1.2V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 35nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1700pF @ 16V |
電力 - 最大 | 750mW |
動作温度 | - |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |