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Número de pieza | NVMD6P02R2G |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 16V |
Potencia - Max | 750mW |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC |