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| 品番 | NVC3S5A51PLZT1G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.8A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.6V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 6nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 262pF @ 20V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.2W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 250 mOhm @ 1A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 3-CPH |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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NVC3S5A51PLZT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 1.8A 60V CPH3 | - | 0 | 詳細 |