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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | NVC3S5A51PLZT1G |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 262pF @ 20V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 1.2W (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 1A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 3-CPH |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |