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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | NTMS4P01R2 |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 12V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.4A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 2.5V, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1.15V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 35nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1850pF @ 9.6V |
Vgs(最大) | ±10V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 790mW (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 45 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |