NTMS4101PR2

MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC
NTMS4101PR2 P1
NTMS4101PR2 P1
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ON Semiconductor ~ NTMS4101PR2

品番
NTMS4101PR2
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
NTMS4101PR2.pdf NTMS4101PR2 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 NTMS4101PR2
部品ステータス Obsolete
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6.9A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 2.5V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 450mV @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 32nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3200pF @ 10V
Vgs(最大) ±8V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.38W (Tj)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 19 mOhm @ 6.9A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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