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品番 | NTLJD3182FZTBG |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.2A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 1.8V, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 450pF @ 10V |
Vgs(最大) | ±8V |
FET機能 | Schottky Diode (Isolated) |
消費電力(最大) | 710mW (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 100 mOhm @ 2A, 4.5V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-WDFN (2x2) |
パッケージ/ケース | 6-WDFN Exposed Pad |