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| 品番 | NTLJD2105LTBG |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N and P-Channel |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 8V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 50 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| 電力 - 最大 | 520mW |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 6-WDFN Exposed Pad |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-WDFN (2x2) |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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NTLJD2104PTAG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN | - | 0 | 詳細 |
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NTLJD3182FZTBG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN | - | 0 | 詳細 |
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NTLJD3183CZTAG | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN | - | 0 | 詳細 |