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品番 | NTHS2101PT1G |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 8V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.4A (Tj) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 1.8V, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1.5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 30nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2400pF @ 6.4V |
Vgs(最大) | ±8V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 1.3W (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V |
動作温度 | - |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | ChipFET™ |
パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |