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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | NSS35200MR6T1G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| トランジスタタイプ | PNP |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 2A |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 35V |
| Vce飽和（最大）@Ib、Ic | 310mV @ 20mA, 2A |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 100nA |
| DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce | 100 @ 1.5A, 1.5V |
| 電力 - 最大 | 625mW |
| 周波数 - 遷移 | 100MHz |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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NSS35200CF8T1G | ON Semiconductor | TRANS PNP 35V 2A 8CHIPFET | - | 15000 | 詳細 |
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NSS35200MR6T1G | ON Semiconductor | TRANS PNP 35V 2A TSOP-6 | - | 6000 | 詳細 |