NSS35200MR6T1G

TRANS PNP 35V 2A TSOP-6
NSS35200MR6T1G P1
NSS35200MR6T1G P1
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ON Semiconductor ~ NSS35200MR6T1G

Artikelnummer
NSS35200MR6T1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS PNP 35V 2A TSOP-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Artikelnummer NSS35200MR6T1G
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 35V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 310mV @ 20mA, 2A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1.5A, 1.5V
Leistung max 625mW
Frequenz - Übergang 100MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6
Lieferantengerätepaket 6-TSOP

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