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品番 | NDBA100N10BT4H |
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部品ステータス | Last Time Buy |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 100V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V, 15V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 35nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2950pF @ 50V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 110W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 6.9 mOhm @ 50A, 15V |
動作温度 | 175°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |