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Numero di parte | NDBA100N10BT4H |
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Stato parte | Last Time Buy |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2950pF @ 50V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 110W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.9 mOhm @ 50A, 15V |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |