AFGB40T65SQDN

650V/40A FS4 IGBT TO263 A
AFGB40T65SQDN P1
AFGB40T65SQDN P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

ON Semiconductor ~ AFGB40T65SQDN

品番
AFGB40T65SQDN
メーカー
ON Semiconductor
説明
650V/40A FS4 IGBT TO263 A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- AFGB40T65SQDN PDF online browsing
家族
トランジスタ - IGBT - シングル
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製品パラメータ

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品番 AFGB40T65SQDN
部品ステータス Active
IGBTタイプ -
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 650V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 80A
電流 - コレクタパルス(Icm) 160A
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 2.1V @ 15V, 40A
電力 - 最大 238W
スイッチングエネルギー 858µJ (on), 229µJ (off)
入力方式 Standard
ゲートチャージ 76nC
Td(オン/オフ)@ 25℃ 17.6ns/75.2ns
テスト条件 400V, 40A, 6 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) 131ns
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK-3 (TO-263)

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