AFGB40T65SQDN

650V/40A FS4 IGBT TO263 A
AFGB40T65SQDN P1
AFGB40T65SQDN P1
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ON Semiconductor ~ AFGB40T65SQDN

Artikelnummer
AFGB40T65SQDN
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
650V/40A FS4 IGBT TO263 A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
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Artikelnummer AFGB40T65SQDN
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 80A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 160A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A
Leistung max 238W
Energie wechseln 858µJ (on), 229µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 76nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 17.6ns/75.2ns
Testbedingung 400V, 40A, 6 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 131ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket D2PAK-3 (TO-263)

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