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品番 | PHT4NQ10LT,135 |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 100V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.5A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 12.2nC @ 5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 374pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±16V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 6.9W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 250 mOhm @ 1.75A, 5V |
動作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 |
パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |