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| Numéro d'article | PHT4NQ10LT,135 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12.2nC @ 5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 374pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 6.9W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 1.75A, 5V |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-223 |
| Paquet / cas | TO-261-4, TO-261AA |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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PHT4NQ10LT,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 3.5A SC73 | - | 0 | Détails |
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PHT4NQ10T,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223 | 0 | Détails |