APT80GP60J

IGBT 600V 151A 462W SOT227
APT80GP60J P1
APT80GP60J P2
APT80GP60J P1
APT80GP60J P2
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Microsemi Corporation ~ APT80GP60J

品番
APT80GP60J
メーカー
Microsemi Corporation
説明
IGBT 600V 151A 462W SOT227
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- APT80GP60J PDF online browsing
家族
トランジスタ - IGBT - モジュール
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製品パラメータ

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品番 APT80GP60J
部品ステータス Not For New Designs
IGBTタイプ PT
構成 Single
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 600V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 151A
電力 - 最大 462W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 2.7V @ 15V, 80A
電流 - コレクタ遮断(最大) 1mA
入力容量(Cies)@ Vce 9.84nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース ISOTOP
サプライヤデバイスパッケージ ISOTOP®

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