APT80GP60J

IGBT 600V 151A 462W SOT227
APT80GP60J P1
APT80GP60J P2
APT80GP60J P1
APT80GP60J P2
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APT80GP60J

Artikelnummer
APT80GP60J
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 600V 151A 462W SOT227
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer APT80GP60J
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ PT
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 151A
Leistung max 462W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 80A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 9.84nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall ISOTOP
Lieferantengerätepaket ISOTOP®

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