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BOM

IRLU3636PBF

MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IRLU3636PBF
IRLU3636PBF P1
IRLU3636PBF P2
IRLU3636PBF P1
IRLU3636PBF P2
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Infineon Technologies ~ IRLU3636PBF

品番
IRLU3636PBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRLU3636PBF.pdf IRLU3636PBF PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IRLU3636PBF
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 50A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.5V @ 100µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 49nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3779pF @ 50V
Vgs（最大） ±16V
FET機能 -
消費電力（最大） 143W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 6.8 mOhm @ 50A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ I-Pak
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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